Заглавная страница Избранные статьи Случайная статья Познавательные статьи Новые добавления Обратная связь FAQ Написать работу КАТЕГОРИИ:  Археология Биология Генетика География Информатика История Логика Маркетинг Математика Менеджмент Механика Педагогика Религия Социология Технологии Физика Философия Финансы Химия ЭкологияТОП 10 на сайте Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрацииТехника нижней прямой подачи мяча. Франко-прусская война (причины и последствия) Организация работы процедурного кабинета Смысловое и механическое запоминание, их место и роль в усвоении знаний Коммуникативные барьеры и пути их преодоления Обработка изделий медицинского назначения многократного применения Образцы текста публицистического стиля Четыре типа изменения баланса Задачи с ответами для Всероссийской олимпиады по праву 
Мы поможем в написании ваших работ! ЗНАЕТЕ ЛИ ВЫ?
Влияние общества на человека
Приготовление дезинфицирующих растворов различной концентрации Практические работы по географии для 6 класса Организация работы процедурного кабинета Изменения в неживой природе осенью Уборка процедурного кабинета Сольфеджио. Все правила по сольфеджио Балочные системы. Определение реакций опор и моментов защемления |
Техніка безпеки при проведенні лабораторних робітСодержание книги
Похожие статьи вашей тематики
Поиск на нашем сайте Методичний посібник до виконання лабораторних робіт з предмету «Комп′ютерна електроніка» до спеціальності: 5.05010201 „Обслуговування комп’ютерних систем і мереж”
Розробила викладач Т.І. Ковальова
ПОЯСНЮВАЛЬНА ЗАПИСКА Програмою курсу «Комп'ютерна електроніка» передбачається виконання лабораторних робіт, у ході виконання яких студенти повинні: ∙ ознайомитися з зовнішнім виглядом напівпровідникових приладів, інтегральних мікросхем і деяких вимірювальних електронних приладів; ∙ зрозуміти принцип дії основних напівпровідникових приладів та електронних і імпульсних пристроїв: діодів, транзисторів, інтегруючих та диференційних схем, обмежувачів амплітуди сигналу, релаксаційних генераторів (мультивібратор), тригерів на дискретних компонентах, транзисторних ключів, стабілізаторів напруги, LC - i RC – генераторів, підсилювачів, логічних елементів, тригерів, цифрових компараторів, інтеграторів, диференціаторів, пристроїв на ОП, ЦАП; ∙ набути навички визначення характеристик і параметрів напівпровідникових приладів та основних електронних пристроїв; ∙ одержати уявлення про можливості використання тих або інших напівпровідникових приладів, інтегральних мікросхем при рішенні визначених задач. ∙ навчитися читати схеми найбільш розповсюджених електронних пристроїв, розрізняти умовні позначення напівпровідникових приладів, інтегральних лінійних і цифрових мікросхем. Наведені теоретичні відомості охоплюють мінімум навчального матеріалу, необхідний для підготовки і виконання відповідної лабораторної роботи. Лабораторні роботи проводяться після вивчення теоретичного матеріалу. До початку лабораторної роботи студенти повинні ознайомитись з порядком її виконання, внести у звіт: назву роботи, її мету, перелік обладнання, хід виконання. Перед початком роботи викладач перевіряє у студентів їх готовність шляхом тестового, або фронтального опитування з теоретичного матеріалу і наявність звіту. У разі негативних результатів, студент не допускається до виконання лабораторної роботи. Проведення роботи передбачається груповим методом по 4-5 осіб у групі, якщо лабораторна робота проводиться на макеті і по 12 осіб, якщо на комп'ютері. Студенти знайомляться з робочим місцем, підключають вимірювальні прилади, згідно методичних вказівок і починають вимірювання параметрів РЕА. Після закінчення вимірювань, їх результати необхідно показати керівнику. Після узгодження отриманих даних, відключити від мережі прилади і приступити до їх обробки і остаточного оформлення звіту. Завдання включає розрахунок параметрів і режимів роботи основних електронних пристроїв, досліджуваних у лабораторії. Результати виконання завдання заносяться в бланк звіту, що складається з титульного листа, схем дослідження електронних ланцюгів і пристроїв, таблиць для результатів вимірів. У бланку звіту повинно бути передбачене місце для графіків, експериментально отриманих залежностей і переліку використаних у роботі приладів. На титульному листі повинні бути зазначена назва роботи, прізвище студента і його групи. Захист лабораторної роботи проводиться шляхом усного чи письмового опитування кожного студента. Лабораторна робота вважається зарахованою при наявності повністю оформленого звіту і позитивної оцінки при захисті. ТЕХНІКА БЕЗПЕКИ ПРИ ПРОВЕДЕННІ ЛАБОРАТОРНИХ РОБІТ Загальні положення На лабораторному стенді є роз'єми, клеми, електронні вимірювальні прилади й інші елементи ланцюга, що при виконанні лабораторної роботи можуть знаходиться під напругою. Тому відповідно до «Правил техніки безпеки при експлуатації електроустановок споживачем» такі стенди вважаються діючими електроустановками і для їхньої експлуатації необхідно знати і суворо додержуватися правил техніки безпеки.
ЛАБОРАТОРНА РОБОТА № 1 S1 2 3
Рис.1
4 Основні теоретичні положення: Напівпровідникові діоди – це напівпровідникові (НП) прилади, що мають один р-n -перехід та 2 виводи. В залежності від способу отримання р-n- переходу НП діоди поділяються на 2 типи: точкові та площинні. Переваги НП діодів: малі габарити і маса, великий коефіцієнт корисної дії (більш 99%), практично необмежений термін служби, висока надійність. Усі діоди виготовляють з монокристалів. Діоди класифікують за матеріалом, за призначенням, за параметрами (все це є в маркуванні), за способом виготовлення р-n переходу. Матеріал із якого виготовляють НП діоди – германій, кремній, арсенід галію. Випрямні діоди – призначені для випрямлення змінного струму в постійний (пульсуючий). Методи отримання – сплавлення та дифузія. Структура p-n-переходу – площина. Основні матеріали – Si та Ge.
І пр, мА
Uзв,В Uпр,В Ізв,мА Рис.2 Основна характеристика – ВАХ (рис.2).
5 Послідовність виконання роботи: 5.1 Зняття ВАХ при прямому включенні діоду (рис.1) Для зняття ВАХ при прямому включенні діоду перемикач S1 поставити в положення 1-3. Змінюючи значення Uпр, зняти залежність Іпр = f(Uпр) (пряма гілка). Дані вимірювань занести у таблицю 1.
Таблиця 1
5.2. Зняття ВАХ при зворотному включенні діоду (рис.1) Для зняття ВАХ при зворотному включенні діоду перемикач S1 поставити в положення 2-3. Змінюючи значення Uзв, зняти залежність Ізв = f(Uзв) (зворотна гілка). Дані вимірювань занести у таблицю 2.
Таблиця 2
5.3 Побудова ВАХ За результатами вимірювань (таблиці 1 і 2) побудувати графік ВАХ (на міліметровому папері). 5.4 Визначення основних параметрів випрямного діода За ВАХ визначити: диференціальний опір випрямного діода rд при прямому та при зворотному включенні (rпр, rзв) за формулами: rпр = ∆ U пр / ∆І пр; rзв = ∆ U зв / ∆І зв;
6 Зміст звіту: 6.1 Найменування та мета роботи. 6.2 Схема дослідження. 6.3 Перелік приладів. 6.4 Результати вимірювань (таблиці). 6.5 Графіки ВАХ (на міліметровому папері). 6.6 Розрахунки опорів rпр , rзв за ВАХ. 6.7 Висновки. Розшифрувати маркування дослідженого випрямляючого діоду.
7 Контрольні питання: 7.1 До яких приладів відносяться випрямні діоди? 7.2 Для чого призначені випрямні діоди і назвіть принцип дії випрямних діодів? 7.3 Як змінюється ширина p-n- переходу НП діоду із збільшенням зворотної напруги. 7.4 Яка основна характеристика випрямних діодів? 7.5 Який режим є нормальним для випрямного діоду? 7.6 Які схеми використовуються якщо потрібно отримати випрямлений струм більший за гранично допустимий для одного діода? 7.7 Із якого матеріалу виготовляються випрямні діоди?
8 Література: 8.1 Васильєва Л.Д, Медведенко Б.І., Якименко Ю.І. «Напівпровідникові прилади: Підручник. – К.: ІВЦ «Видавництво «Політехніка»», 2003. – 388 с. 8.2 Ю.П. Колонтаєвський, А.Г. Сосков, “Електроніка і мікросхемотехніка»: Підручник. 2-е вид./ за ред. А.Г. Соскова.-К.: Каравела, 2009.-416 с. 8.3 В.Ю. Лавриненко, «Справочник по полупроводниковым приборам. 10-е изд., перераб. И доп. – К.: Техника, 1984. – 424 с. 8.4 Матвійків М.Д. та ін. Елементна база електронних апаратів: Підручник / М.Д. Матвійків, В.М. Когут, О.М. Матвійків. – 2-ге вид. – Львів: Видавництво Національного університету «Львівська політехніка», 2007. – 428 с.
ЛАБОРАТОРНА РОБОТА № 2 S1 2 3 Рис.1 4 Основні теоретичні положення: Стабілітрон – це напівпровідниковий діод, напруга на якому в області електричного пробою майже не залежить від сили струму. Принцип дії стабілітрону – електричний пробій p-n переходу. Основна характеристика – вольт-амперна характеристика (ВАХ) (рис.2). Робоча ділянка (АБ) -пряма майже паралельна осі струмів.
Рис.2 Робочий режим – при зворотному включенні (режим електричного пробою). Стабілітрони виготовляють з кремнію, який має порівняно з германієм більшу ширину забороненої зони, а значить значно менший зворотний струм. Це приводить до того, що тепловий пробій настає при значно більших зворотних напругах, ніж в германієвих приладах. Застосовуються стабілітрони для стабілізації напруги, як обмежувач постійної та імпульсної напруги, як поділювач напруги, як джерело еталонної напруги. Основні параметри: - напруга стабілізації Uст – падіння напруги на стабілітроні в області стабілізації при номінальному значенні струму; - мінімальний струм стабілізації Іmin – найменше значення струму крізь стабілітрон, при якому виникає стійкий електричний пробій (точка А на ВАХ); - максимальний струм стабілізації Іmax – найбільший струм крізь стабілітрон, при якому потужність, що розсіюється на стабілітроні, не перевищує допустимого значення (точка Б на ВАХ); - диференційний опір rст – характеризує зміну величини напруги на приладі зі змінами струму крізь нього, тобто, характеризує ступінь стабільності напруги стабілізації при зміні струму пробою rст = ∆Uст /∆Іст; де ∆Uст = Uст. max - Uст. min - змінення напруги в режимі стабілізації; ∆Іст = Іст. max - Іст. min - крайні значення струму стабілізації. - температурний коефіцієнт напруги стабілізації α, α = ∆Uст /Uст ∙ ∆T (1/град); - максимальна потужність розсіювання Рmax – найбільша потужність, яка виділяється в p-n переході, при якій ще не виникає теплового пробою.
5 Послідовність виконання роботи: 5.1. Зняття ВАХ при прямому включенні стабілітрону (рис.1) Для зняття ВАХ при прямому включенні діоду перемикач S1 поставити в положення 1-3. Змінюючи значення Uпр, зняти залежність Іпр = f(Uпр) (пряма гілка). Дані вимірювань занести у таблицю 1. Таблиця 1
5.2. Зняття ВАХ при зворотному включенні стабілітрону (рис.1) Для зняття ВАХ при зворотному включенні діоду перемикач S1 поставити в положення 2-3. Змінюючи значення Uзв, зняти залежність Ізв = f(Uзв) (зворотна гілка). Особливо ретельно слід знімати характеристику на ділянці стабілізації, так як тут у широкому інтервалі змінення струму діоду напруга Uст змінюється незначно. Дані вимірювань занести у таблицю 2. Таблиця 2
5.3. Побудова ВАХ За результатами вимірювань (таблиці 1 і 2) побудувати графік ВАХ (на міліметровому папері). 5.4 Визначення основних параметрів стабілітрону За ВАХ визначити: Uст; Іст; Іmin; Іmax; rст.
6 Зміст звіту: - найменування та мета роботи; - схема дослідження; - перелік приладів; - результати вимірювань (таблиці 1 і 2); - графік ВАХ (на міліметровому папері); - розрахунок та визначення основних параметрів стабілітрону; - висновки. Розшифрувати маркування дослідженого стабілітрону.
7 Контрольні питання: 7.1 Принцип дії стабілітрону. 7.2 Чому основним матеріалом для стабілітрону є кремній? 7.3 Умовне графічне зображення стабілітрону. 7.4 Як стабілітрон вмикається у схемі відносно навантаження? 7.5 Приведіть схему включення стабілітрону, якщо потрібно збільшити напругу стабілізації на навантаженні. 7.6 Основні параметри стабілітрону. 7.7 Як визначається диференційний опір стабілітрону в режимі стабілізації? 7.8 Що таке стабістор?
8 Література: 8.1 Васильєва Л.Д, Медведенко Б.І., Якименко Ю.І. «Напівпровідникові прилади: Підручник. – К.: ІВЦ «Видавництво «Політехніка»», 2003. – 388 с. 8.2 Ю.П. Колонтаєвський, А.Г. Сосков, “Електроніка і мікросхемотехніка»: Підручник. 2-е вид./ за ред. А.Г. Соскова.-К.: Каравела, 2009.-416 с. 8.3 В.Ю. Лавриненко, «Справочник по полупроводниковым приборам. 10-е изд., перераб. И доп. – К.: Техника, 1984. – 424 с. 8.4 Конспект лекцій.
ЛАБОРАТОРНА РОБОТА № 3 Тема:Дослідження біполярного транзистора 1 Мета роботи: Вивчення особливостей роботи біполярного транзистора, увімкнутого за схемою зі спільним емітером; побудова статичних ВАХ та визначення його основних параметрів (коефіцієнтів підсилення за струмом, за напругою та потужністю, вхідного та вихідного опорів).
3 Схема дослідження: 1 кОм
1 кОм
1 кОм
1В 1кОм 10В
Рис.1
4 Основні теоретичні положення: Транзистором (від TRANSFER RESISTOR – такий, що перетворює опір) називається НП прилад, який має один або декілька p-n переходів, три або більше виводів і здатний підсилювати потужність електричного сигналу. Біполярний транзистор – це НП прилад, призначений для підсилення потужності сигналу, який має 2 p-n переходи, використовує носії зарядів двох різних типів: електронів та дірок і керується струмом. Як елемент електричного кола, транзистор зазвичай використовується так, що один з його електродів є вхідним, другий вихідним, а третій – спільний відносно входу та виходу. У коло вхідного електроду вмикається джерело вхідного змінного сигналу, який треба підсилити за потужністю, у коло вихідного – навантаження, на якому виділяється підсилена потужність. Розрізняють три схеми вмикання транзисторів: - з спільною базою - з СБ; - з спільним емітером - з СЕ; - з спільним колектором - з СК. Схема зі спільним емітером (рис.1) найбільш розповсюджена. Основні параметри біполярного транзистора для схеми з спільним емітером визначаються за формулами: Rвх =ΔUБЕ / ΔІБ , при ΔUКЕ = const (сотні Ом – одиниці кОм); Rвих =ΔUКЕ / ΔІК , при ΔІБ = const (одиниці – десятки кОм); КІ = ΔІК / ΔІБ , ΔUКЕ = const (десятки – сотні); КU = ΔUвих / ΔUвх , ΔIвх = const (сотні – тисячі); КР = КІ ∙ КU (тисячі – десятки тисяч); Для визначення статичних параметрів транзисторів використовують два види статичних характеристик: - вхідні ІБ = f(UБЕ) при UКЕ = const (рис.2); - вихідні ІК = f(UКЕ) при ІБ = const (рис.3). 5 Послідовність виконання роботи: 5.1 Зняття вхідних статичних характеристик транзистора ІБ = f(UБЕ) при UКЕ = const Перед зняттям характеристик заготовляють таблицю спостережень (табл.1 і табл.2).
Таблиця 1
Вхідні статичні характеристики транзистора знімають для двох значень напруги UКЕ . Напругу між базою та емітером змінюють потенціометром R1.
5.2 Зняття вихідних статичних характеристик транзистора ІК = f(UКЕ) при ІБ = const Таблиця 2
Вихідні статичні характеристики знімають для трьох значень струму бази, котрі встановлюють потенціометром R1 та підтримують у процессі спостережень незмінними. Напругу UКЕ змінюють, потенціометром R2. 5.3 Побудова статичних характеристик транзистора. За результатами вимірювань (табл.1 і табл.2) побудувати сімейства вхідних та вихідних статичних характеристик транзистора на міліметровому папері. Зразковий приклад цих характеристик приведено на рис.2, 3.
Рис. 3 Рис.2 5.4 Визначення вхідного та вихідного опорів, коефіцієнтів підсилення транзистора. За вихідними статичними характеристиками (рис.3) можна знайти вихідний опір транзистора Rвих для заданої точки Т. По прирощенням ∆UКЕ і ∆ІК між точками В і С при постійному струмі ІБ = 40 мкА Rвих=∆UКЕ / ∆ІК =(15В - 1В) / (1,4-0,9)10-3 А = 28000 Ом = 28 кОм. Вхідний опір транзистора Rвх визначаємо за вхідними статичними характеристиками (рис.2). Точка Т відповідає тому ж режиму, що й на вихідних характеристиках (ІБ = 40 мкА). По прирощенням ∆ІБ та ∆UБЕ між точками А і Б при постійній напрузі UКЕ= 8 В, знаходимо Rвх = ∆UБЕ / ∆ІБ = (185 мВ-140 мВ) / (50-30)10-3 мА = 2250 Ом = 2,25 кОм. Коефіцієнт підсилення струму КІ визначаємо за вихідними характеристиками транзистора (рис.3). Нехай транзистор працює при напрузі між колектором і емітером U КЕ = 8 В, а струм бази дорівнює І Б = 40 мкА. Цьому режиму на сімействі вихідних характеристик транзистора відповідає точка Т. По прирощенням ∆І К та ∆І Б між точками А і Б при постійній напрузі U КЕ знаходимо КІ = ∆І К / ∆І Б = (1,6 - 0,6)мА / (60 - 20)10-3 мА = 25, при U КЕ = 8 В = const. Коефіцієнт підсилення напруги КU визначаємо за вхідними характеристиками транзистора (рис.2). Нехай І Б = const = 30 мкА (т. КА). Для точки К U БЕ = 110 мВ, U КЕ = 0 В Для точки А U БЕ = 140 мВ, U КЕ = 8 В. КІ = ∆ U КЕ / ∆ U БЕ = (8 - 0)В / (140-110)10-3 В = 270. Коефіцієнт підсилення потужності КР визначаємо за формулою: КР = КІ КU = 25∙270 = 6750.
6 Зміст звіту: 6.1 Найменування та мета роботи. 6.2 Схема дослідження. 6.3 Перелік приладів. 6.4 Результати вимірювань (таблиці). 6.5 Вхідні статичні характеристики транзистора ІБ = f(UБЕ), при UБЕ = const (на міліметровому папері). 6.6 Вихідні статичні характеристики транзистора ІК = f(UКЕ), при ІБ = const (на міліметровому папері). 6.7 Розрахунок основних параметрів транзистора: вхідного і вихідного опорів, коефіцієнтів підсилення струму, напруги, потужності. 6.8 Висновки.
7 Контрольні питання: 7.1 Чому БТ називається біполярним. 7.2 Які режими роботи має БТ? 7.3 Що називається динамічним режимом роботи БТ. 7.4 Яка схема включення найбільш використовується і чому? 7.5 Назвіть h-параметри БТ і їх фізичні властивості? 7.6 Які електроди має БТ і вимоги до них? 7.7 У якій області знаходиться транзистор p-n-p- структури, якщо UБЕ = - 0,2 В В; UКЕ = 6В?
8 Література: 8.1 Васильєва Л.Д., Медеведенко Б.І., Якименко Ю.І. «Напівпровідникові прилади»: Підручник. – К.: ІВЦ «Видавництво «Політехніка»», 2003. – 388 с. 8.2 Ю.П. Колонтаєвський, А.Г. Сосков, “Промислова електроніка та мікросхемотехніка: теорія і практикум.».- К.: «Каравела», 2004. – 368 с. 8.3 В.Ю. Лавриненко, «Справочник по полупроводниковым приборам. 10-е изд., перераб. И доп. – К.: Техника, 1984. – 424 с. 8.4 Мілих В.І., Шавьолкін О.О. Електротехніка, електроніка та мікропроцесорна техніка: Підручник. За ред.. В.І. Мілих. – К.: Каравела, 2007. – 688 с. 8.5 Конспект лекцій.
ЛАБОРАТОРНА РОБОТА № 4 Тема: Дослідження польового транзистора 1 Мета роботи: Вивчення особливостей роботи польового транзистора з керуючим p-n переходом, побудова статичних ВАХ та визначення його основних параметрів.
2 Апаратура та прилади: ПЕОМ, програма Electronics Workbench.
3 Схема дослідження: 1 Ом
5В 10В
1кОм 1 кОм
Рис.1 4 Основні теоретичні положення: Польовим транзистором - називається трьохелектродний напівпровідниковий прилад, в якому струм створюють основні носії заряду під дією подовжнього електричного поля, а керування величиною струму здійснюється поперечним електричним полем, що утворюється напругою, прикладеною до керуючого електроду. Тобто польові транзистори керуються електричним полем. Елементи польових транзисторів: Виток (В) – електрод, від якого починається рух носіїв заряду. Стік (С) – електрод, до якого рухаються носії заряду. Затвор (З) – керуючий електрод. Канал – ділянка напівпровідника між стоком та витоком, де тече електричний струм. Принцип дії польових транзисторів базується на зміні поперечного перерізу каналу: ІC = f(SK)
Рис.2 Для визначення параметрів польових транзисторів використовують дві сім′ї статичних характеристик: - стокові (вихідні) ІС = f(UСВ), при UЗВ = const (рис.3); - стокозатворні (характеристики керування) ІС = f(UЗВ), при UСВ = const (рис.4). 5 Послідовність виконання роботи: 5.1 Опробування схеми. Для опробування схеми (рис.1) потенціометром R1 встановіть напругу на дільниці «затвор – джерело» приблизно 0,6 В, а потенціометром R2 змініть напругу між стоком та витоком від 0 до + 10 В. Спостерігаючи, як змінюється струм стоку, впевніться у можливості зняття стокової характеристики. Можливість зняття стокозатворної характеристики перевірте падаючи на стік напругу від 0 до – 10 В. Підтримуючи цю напругу постійною змінюйте напругу між затвором та витоком від 0 до значення напруги, рівної напрузі відсічки, та спостерігайте, як змінюється струм стоку.
5.2 Зняття стокових характеристик польового транзистора ІС = f(UСВ), при UЗВ = const. Перед зняттям характеристик заготуйте таблицю спостережень (табл.1). Стокові характеристики польового транзистора знімають для 4 – 5 значень напруги UЗВ. Величини напруг затвор – виток залежать від типу транзистора та знаходяться у межах від 0 до +10 В. Напругу стоку змінюють у процесі зняття характеристики через (1 – 2) В потенціометром R2. Таблиця 1
5.3 Зняття стокозатворної характеристики польового транзистора ІС = f(UЗВ), при UСВ = const. Перед зняттям характеристик заготуйте таблицю спостережень (табл.2).
Таблиця 2
Стокозатворну характеристику знімають для одного значення напруги стоку, наприклад UСВ = - 5 В. При цьому змінюють напругу затвору від 0 (при максимальному значенні струму стоку) до напруги відсічки (при якому струм стоку дорівнює 0) через 0,5 В. 5.3 Побудова стокових, стокозатворних характеристик польового транзистора.
Рис.3 Рис. 4 5.4 Визначення параметрів польового транзистора 5.4.1За стокозатворними характеристиками (рис.4) визначають: - напругу відсічки UЗB 0; - крутизну стокозатворної характеристики S = ΔIС /ΔUЗВ = fe/de [mA/В], при UСВ =const ; - вхідний опір Rвх = ΔUЗВ / ΔIЗ [Ом]; Rвх = de/fe. 5.4.2Для визначення внутрішнього (вихідного) диференційного опору на одній із стокових характеристик (рис. 3) будують характеристичний трикутник Δaвс з якого знаходять Rі =ΔUСВ /ΔIС [Ом], при ΔUЗВ =const; Rвих = aс/вс. 5.4.3 За внутрішнім рівнянням польового транзистора визначають коефіцієнт підсилення μ = S·Ri. Зверніть увагу на узгодження одиниць вимірювання S та Ri.
6 Зміст звіту: 6.1 Найменування та мета роботи. 6.2 Схема дослідження. 6.3 Перелік приладів. 6.4 Результати вимірювань (таблиці). 6.5 Стоково - затворна характеристика польового транзистора ІС = f(UЗВ), при UСВ = const (на міліметровому папері). 6.6 Стокові характеристики польового транзистора ІС=f(UСВ), при UЗВ=const (на міліметровому папері). 6.7 Розрахунок основних параметрів польового транзистора: вхідного і вихідного опорів, крутизну характеристики, напругу відсічки, коефіцієнта підсилення. 6.8 Висновки. 7 Контрольні питання: 7.1 Чим керується польовий транзистор? 7.2 Який у ПТ вхідний опір? 7.3 Як поділяються ПТ з ізольованим затвором? 7.4 При якій полярності напруги на затворі МДН – транзистор з каналом р - типу працює в режимі збіднення? 7.5 Яким чином можна змінювати переріз каналу SК?
8 Література:
8.1 Васильєва Л.Д., Медеведенко Б.І., Якименко Ю.І. «Напівпровідникові прилади»: Підручник. – К.: ІВЦ «Видавництво «Політехніка»», 2003. – 388 с. 8.2 Ю.П. Колонтаєвський, А.Г. Сосков, “Промислова електроніка та мікросхемотехніка: теорія і практикум.».- К.: «Каравела», 2004. – 368 с. 8.3 В.Ю. Лавриненко, «Справочник по полупроводниковым приборам. 10-е изд., перераб. И доп. – К.: Техника, 1984. – 424 с. 8.4 Мілих В.І., Шавьолкін О.О. Електротехніка, електроніка та мікропроцесорна техніка: Підручник. За ред.. В.І. Мілих. – К.: Каравела, 2007. – 688 с. 8.5 Конспект лекцій.
ЛАБОРАТОРНА РОБОТА № 5 ЛАБОРАТОРНА РОБОТА № 6 Таблиця 1
6 Зміст звіту:
6.1 Найменування та мета роботи. 6.2 Перелік приладів. 6.3 Схема дослідження. 6.4 Вимірювання та розрахунок основних параметрів диференційного підсилювача. 6.5 Результати вимірювань і розрахунків. 6.6 Часові діаграми роботи ДП (на міліметровому папері). 6.7 Висновки. 6.8 Відповіді на контрольні питання.
7 Контрольні питання: 7.1 Де застосовуються підсилювачі постійного струму (ППС)? 7.2 Що є основним недоліком ППС? 7.3 Чому не можна підсилювати повільно змінний сигнал за допомогою підсилювачів змінного струму? 7.4 Які каскади з безпосереднім зв'язком зменшують дрейф? 7.5 Яку смугу частот підсилюють підсилювачі постійного струму? 7.6 Якого виду міжкаскадний зв'язок використовується в ППС?
8 Література:
8.1 В.І. Бойко, А.М. Гуржій, В.Я. Жуйков та ін, «Схемотехніка електронних систем: У 3 кн. Кн.1. Аналогова схемотехніка та імпульсні пристрої: Підручник – К.: Вища шк., 2004. – 366 с. 8.2 Ю.П. Колонтаєвський, А.Г. Сосков, “Промислова електроніка та мікросхемотехніка: теорія і практикум.».- К.: «Каравела», 2003. – 368 с. 8.3 В.И. Лачин, Н.С. Савелов, „Электроника: Учеб.пособие. 4-е изд. – Ростов н/Д: изд-во «Феникс», 2004. – 576 с. 8.4 Мілих В.І., Шавьолкін О.о. Електротехніка, електроніка та мікропроцесорна техніка: Підручник. За ред. В.І. Мілих. – К.: Каравела, 2007. – 688 с.
ЛАБОРАТОРНА РОБОТА № 7 ЛАБОРАТОРНА РОБОТА № 8 ЛАБОРАТОРНА РОБОТА № 9 ЛАБОРАТОРНА РОБОТА № 10 Тема: Дослідження роботи симетричного тригера на транзисторах 1 Мета роботи: Наближений розрахунок та вивчення особливостей роботи тригерів, виконаних на дискретних елементах.
2 Апаратура та прилади: ПЕОМ, програма Electronics Worbench.
EК = 9ВRК1 = 1КОмRК2 = 1КОм
R1 = 12 КОм R2 = 12 КОм С1 = 360пФ С2 = 360пФ VT1VT2 C = 120 пФ VD2 RБ 1=8,2кОмRБ2 =8,2кОм EЗМ=3В C = 120 пФ VD1
За принципом дії даний тригер (рис.1) є Т – тригером, який називається лічильним. В даній схемі тригера додатній зворотній зв'язок реалізується ланками R1C1 та R2C2, які з'єднують колектор кожного транзистора з базою іншого, ізабезпечує лавиноподібне перекидання тригера. Напруга Езм призначена для надійного утримання в закритому стані Рис.2 закритому стані одного з транзисторів схеми. Після підключення джерела живлення тригер знаходиться в одному з двох сталих станів скільки завгодно часу при відсутності сигналів керування та наявності живлення – тобто тригер має енергозалежну пам'ять. Коло з діодами VD1 та VD2 є колом запуску тригера при подачі напруги запуску Uзап. Запуск відбувається запираючими позитивними імпульсами для зменшення потужності джерела запускаючих імпульсів і зменшення тривалості встановлення стану. 4 Основні теоретичні положення: Основою послідовнісних пристроїв (пристроїв з пам'яттю) є тригери. Тригер забезпечує запам'ятовування елементарного об'єму інформації – 1 біт. Тригери – це послідовнісний пристрій, призначений для запису і зберігання значення одно розрядної двійкової інформації. Тригери будують на напівпровідникових приладах, які мають ділянку з негативною крутизною характеристики (на тиристорах), на основі двокаскадних підсилювачів з додатнім зворотним зв'язком. Тригери в інтегральному виконанні будують на логічних цифрових елементах. Стан тригера визначають з
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
Последнее изменение этой страницы: 2017-02-10; просмотров: 503; Нарушение авторского права страницы; Мы поможем в написании вашей работы! infopedia.su Все материалы представленные на сайте исключительно с целью ознакомления читателями и не преследуют коммерческих целей или нарушение авторских прав. Обратная связь - 216.73.217.110 (0.011 с.) |
Принцип дії – однобічна провідність.
2 Апаратура та прилади: ПЕОМ, програма Electronics Workbench.
В польових транзисторах з керуючим p-n переходом (унітронах) площа поперечного перерізу каналу змінюється за рахунок зміни зворотної напруги на p-n- переході затвор – канал.
За результатами вимірювань (табл.1 і табл.2) побудуйте сімейство стокових (вихідних) характеристик, та стік – затворну (вхідну) характеристику польового транзистора на міліметровому папері. Зразковий приклад цих характеристик приведено на рис.3, 4.
3 Схема дослідження:
Рис. 1
